1.資歷：知名大學或科研機構的正副教授、高級研究人員、知名企業研發部門負責人或高級研發人員；在所從事的研究領域具有較高的學術造詣和影響力，或有重大的技術創新經驗和成果；年齡一般在45周歲以下，特別優秀的可放寬。
2.專業：半導體相關領域。
3.待遇：提供具有國際競爭力的待遇，采取年薪、股權、或年薪+股權混合方式，具體面議；。
4.根據個人意愿，積極支持申報國家、省級人才計劃。
博士骨干研發人員
1.專業：凝聚態物理、微電子學、電子與電路設計、半導體物理與器件、光電子學、材料學等專業有較好的科研或技術開發業績，年齡一般在35周歲以下，特別優秀的可放寬。
2.主要研究領域：MOCVD半導體外延生長，半導體芯片工藝，半導體器件封裝與集成，VECSEL，半導體激光器，電子電路設計及新型顯示技術等（TFT及CMOS驅動顯示IC設計），氮化物半導體材料與器件外延技術，新型寬禁帶半導體材料及器件開發，半導體器件設計與制備，半導體材料器件表征分析，光學設計，圖像處理算法。
3.待遇：按廣東省委省政府給予廣東省科學院的優惠政策，待遇下有保底、上不封頂；特別優秀者可實行年薪制。
博士后
1.專業：凝聚態物理、微電子學、電子與電路設計、半導體物理與器件、光電子學、材料學等專業。
2.主要研究領域：MOCVD半導體外延生長，半導體芯片工藝，VECSEL，半導體器件封裝與集成，半導體材料器件表征分析，電子電路設計及新型顯示技術等（TFT及CMOS驅動顯示設計）。
3.待遇：按廣東省委省政府給予廣東省科學院的優惠政策，提供具有競爭力的待遇，年薪20-35萬；出站考核優秀者，可留院工作。
研發支撐崗
1.崗位需求：MOCVD半導體外延生長，半導體芯片工藝，半導體器件封裝與集成，VECSEL，半導體激光器，電子電路設計及新型顯示技術等（TFT及CMOS驅動顯示IC設計），氮化物半導體材料與器件外延技術，新型寬禁帶半導體材料及器件開發，半導體器件設計與制備，半導體材料器件表征分析，光學設計，圖像處理算法等研究領域的碩士研究生，具有一定工作經驗的優先考慮。
2.待遇：提供具有競爭力的待遇，具體面談。
聯系方式
1.高層次人才職位聯系人
陳博士郵箱：44757431@qq.com
電話：020-61086421、手機：13928783720
2.其他職位聯系人
蘇先生郵箱：gdsbdtcyjsyjy@163.com，179573225@qq.com
電話：020-61086427、手機：18818806556
郵件標題注明：應聘領域+本人姓名+高校人才網。
通訊地址：廣州市天河區長興路363號
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